材料学院讲座通知

 

以无铅互连界面为例，讲解形态变化对界面反应和元素扩散迁移具有重要的影响，通过确定Sn-Cu互连体系内不同界面化合物间的生长位向关系，为界面反应模型的建立提供了组织参数。

介绍低温共晶互连界面上的柯肯达尔孔洞的来源和形成机制，以及界面缺陷的形成与化合物生长过程中的元素扩散间的关系。

此外，报告还将根据透射电子显微学在材料微观结构表征中的微米纳米尺度优势，从形貌效应、物相鉴定、缺陷观察、取向关系、界面结构等多个角度，结合作者个人研究成果进行应用介绍。

刘志权，中国科学院金属研究所，研究员，博士生导师，创新课题组长，中国科学院“百人计划”海外引进学者。中国电子学会电子制造与封装技术分会理事，辽宁半导体装备产业技术创新战略联盟理事。

长期从事与性能相关的材料结构及功能的显微组织表征和原位制备研究。目前研究重点为微电子互连材料和结构的组织性能及服役可靠性，主要针对微电子材料及其互连界面和结构，进行材料微观结构与性能演化方面的应用基础研究。包括材料和界面结构的静态表征，以及在热，电，力作用下化合物转变和缺陷演化的动态过程，以从微观角度探讨材料和界面失效的相关机理，为提高微电子材料性能和互连界面可靠性提供理论依据和解决途径。

截至目前在包括Nature，Science，Phys. Rev. Letter，Acta Mater., Nanotechnology等国内外杂志上发表期刊论文90余篇，国际会议论文40余篇；其中SCI收录70余篇，被SCI他人引用800余次；申请中国专利15项，获授权4项，另获授权日本发明专利1项；承担及参加国家及省部级项目等10余项，直接负责科研经费近900万元；合作开发的三维透射电镜表征技术(3D-OMiTEM)入选2011年度美国材料学会焦点新闻，并荣获2012年度美国显微学会创新奖。