10月16日下午，受国际化合作基金资助和先进焊接与连接国家重点实验室田修波教授的邀请，台湾中兴大学吕福兴教授访问我校。吕教授毕业于台湾清华大学本科，美国康奈尔大学博士，原台湾中兴大学教务长研发长，台湾镀膜协会副理事长。吕教授此次来校访问期间与我们分享了他多年来从事教育事业以及科学研究遇到的问题及解决方法。主要从热力学和动力学的角度，对薄膜制备及热处理过程中发生的变化进行了深入的分析与讨论，为薄膜研究提出了一些新的思路，这对于薄膜制备过程中的机理分析提供了理论依据。重点讲述了薄膜生长过程中的诱发因素、能量来源以及可控气氛下膜层生长的机理等方面的研究工作，并带来了五场精彩的系列报告：您所不知道的中兴大学、以空气为反应气体溅射制备“纯”TiN薄膜、氮化薄膜可控气体高温氧化、水热化学电池法——一种创新的氮化物薄膜上制备BaTiO3基材料方法及台湾高等教育杂谈等精彩演讲。
台湾国立中兴大学吕福兴教授就真空物理气相沉积过程中等离子体行为进行了热力学和动力学方面的研究。吕教授通过对不同Ar/N2比例对氮化物薄膜的制备及热处理，阐明了Ar/N2比例对制备薄膜成分以及热处理后膜层组织的影响，双方通过进一步讨论，就等离子体条件下膜层的生长方式以及缺陷产生的诱发因素达成共识，并提出了宝贵意见。吕教授肯定了等离子体条件下的热力学以及动力学研究对膜层生长及性能影响的重要性。对双方建立等离子体物理方面的研究和交流平台表示赞同，并希望通过学术交流的形式，实现相互学习相互促进，最终将国内的PVD（物理气相沉积）技术提高到世界前列水平。（文、图/胡 健）
